فهرس |
تستخدم الذاكرة الحية RAM (ذاكرة الوصول العشوائي) من أجل قراءة أو كتابة المعلومات ،وهذه الذاكرة تحتل الجزء الأكبر من الذاكرة الرئيسية في جهاز الحاسب. ونستطيع تحقيق ذواكر RAM بواسطة تقنيتين مختلفتين الأولى هي ذواكر RAM الحركية ( دي رام )والثانية هي ذواكر RAM الساكنة S RAM .
تتصل كل خلية من خلايا هذه الذاكرة (ما نحتاجه لتخزين خانة واحدة) مع خط تحكم و خطي معطيات يأخذان الحالة المنطقية (1) أو(0) بشكل متعاكس _إذا كان أحد الخطوط (1) فالأخر يأخذ قيمة (0) وبالعكس _. يبين الشكل المجاور المخطط العام لخلية ذاكرة ساكنة.
تعتبر دارات ثنائيات الاستقرار(القلابات) الدارات النموذجية المحققة لهذه البنية حيث يبين الشكل(A)خلية ذاكرة ساكنة باستخدام ترانزستور MOS و يبين الشكل (B) خلية ذاكرة ساكنة باستخدام ترانزستورات ثنائية القطبية ويمكن بسهولة ملاحظة الحالات المتعاكسة التي تظهر على الترانزستورات المرتبطة عكسياً مع بعضها البعض ( ترانزستوري T3 & T4 Mos في الشكل (A) والترانزستورين ثنائيي القطبية في الشكل (B) )>
1- تستخدم من أجل الحصول على نتائج قصوى كاستخدامها في بناء الذاكرة المخبئية (المخفية) Cache.
2- استهلاكها للطاقة ضعيف إذ أن بطارية كهربائية صغيرة تكفي لإبقائها في حالة نشاط عدة سنوات.
3- استطاعتها صغيرة و تستخدم مثلاً في بعض البرامج كالمفكرات وجداول الأعمال الالكترونية الأكثر شيوعاً. 4- لا تحتاج إلى إنعاش إذ أنها لا تستخدم مكثفات.
5- أزمنة ولوجها أقصر من أزمنة ولوج الذواكر الحركية دي رام .
1- تعتبر هذه الذاكرة مكلفة وذات حجم أكبر مقارنةً مع الذواكر الحركية دي رام لأن بناءها يتطلب عدد من الترانزستورات قد تصل إلى (4)أو(6) ترانزستورات مقابل ترانزستور وحيد مع مكثف في الذواكر الحركية دي رام .
2- تبديد الاستطاعة في الذاكرة الساكنة S RAM أكبر منه في الذواكر الحركية دي رام وذلك بسبب وجود ثنائيات الاستقرار التي تعتبر الخلية الأساسية لعناصر الذاكرة الساكنة.
3- سعتها أصغر من سعة الذواكر الحركية دي رام .