الذواكر المقروئة غالباً RMM: أ- ذواكرrom القابلة للمحي بوسيطة الأشعة فوق البنفسجية : ويمز لها بـ EPROM وهذا الاختصار Erasable Programmable Read Only Memory .
وتعمل هذه الذواكرrom إلى أنها تسمح بالمحي باستخدام الأشعة فوق البنفسجية ثم إعادة البرمجة باستخدام جهود مرتفعة تصل إلى 25 فولت لذلك فهي مرتفعة الثمن مقارنة مع ذواكرromوالـ Prom .
تتألف خلية EPROM الواحدة من الترانزيستور MOS جرى توضيع بوابة سيليكونية معزولة كهربائياً (وتشغل حيزاً صغيراً) في طبقة الأوكسيد كما هو مبين في الشكل .
ويطلق على هذه المنطقة اسم البوابة العائمة وذلك لكونها تعمل على قطع الترانزيستور عند توليد حوامل الشحن الإضافية ، وقد عرف هذا النوع من الترنزيستور و هو اختصار باسم FAMOS وهو باختصار Avalanccge – injection mos Floating gate .
أي ترانزيستورات MOS ذات البوابة العائمة العاملة بالحقن الجرفي وأثناء برمجة خلية الذاكرة نقوم بتطبيق جهد عالي على البوابة يسبب هذا الجهد حدوث انهيار جرفي يؤدي إلى انهيار الإلكترونات من البوابة العائمة وعند إزالة الجهد تحتفظ البوابة بشحنتها التي تسبب منطقة معكوسة الشحنة في القاعدة في المنطقة المجاورة للبوابة مسببة قطع الترانزيستور وهكذا يمكننا تحديد المعلومة المخزنة في الذاكرة من معرفتنا بوجود أو غياب الشحنة عن البوابة العائمة ويمكننا الاستنتاج أن إعادة برمجة هذا النوع من الذاكرة يقتضي إزالة الشحنة أولاً هذا الذي يتم من خلال تعريض الذاكرة للأشعة فوق البنفسجية التي تؤدي إلى نشوء تيار كهرضوئي يؤدي إلى إزالة الشحن من البوابة المعزولة ويفسر هذا وجود النافذة في ذواكر الـ EPROM والتي يجب علينا تغطيتها بغطاء قاتم بعد انتهائنا من برمجتها حتى لا يحصل محي غير منتظر للمعلومات المخزنة وترتب خلايا الـ EPROM في مصفوفات شبيهة بخلايا الـذواكرrom وإنما تتغير الخلايا المستخدمة للتخزين .
كتاب بنية الحاسبات جامعة تشرين